利物浦大學的物理學家們已經確定了限制摻氟二氧化錫導電性的因素。

 

研究人員發現，每兩個提供額外自由電子的氟原子中，就會有一個占據了二氧化錫晶體結構中一個通常未被占據的晶格位置。而每一個這種所謂的“間隙”氟原子都捕獲一個自由電子，從而變成負電荷。這使電子密度降低了一半，也導致了剩余自由電子散射的增加，進而導致了氟摻雜二氧化錫的低導電率。

 

有了這一重要發現，就可尋找方法改進涂層透明度，以及將電導率提高5倍、使成本降低、提高觸摸屏、LED、光伏電池和節能窗等大量應用的性能。研究團隊目前正在尋找能避免上述不良因素的新型替代摻雜劑。

 

除利物浦大學的物理學家們外，來自薩里大學離子束中心、倫敦大學學院和國際性玻璃制造商NSG Group的科學家們也共同參與了此項研究。