近日，中科院長春應用化學研究所在“高質量無機納米晶制備及性能研究”方面取得新進展，榮獲2009年度吉林省科技進步一等獎。

無機納米晶是納米材料中重要的一類，包括II-VI族半導體、金屬氧化物等多種材料，由于它們具有光、電、磁等功能而在發光顯示、太陽能電池、生物標記、磁記錄等許多領域展示了巨大的應用前景。高質量無機納米晶具有高結晶性、缺陷少、粒徑分布窄的特點，其制備對基礎研究和應用領域都是非常重要的。

無機納米晶的主要制備技術包括金屬有機方法、溶膠-凝膠法、反相膠束法、水相法、水熱/溶劑熱法和共沉淀法等。經典的金屬有機法可合成高質量無機納米晶，但缺點是原料毒性大且不穩定，污染環境，且實驗操作危險、重復性差。水相制備納米晶的方法操作簡單，可重復性高，不使用危險性大的化學試劑，但制備的納米晶由于反應溫度較低內部和外部缺陷多，而結晶性較差，且尺寸分布寬，對II-VI族半導體而言，導致發光效率較低。

長春應化所以扎實的科研積累，針對無機納米晶制備方法存在的問題，從1998年起探索了多種制備方法，尤其是發展了反應條件溫和、實驗重復性好的兩相法、兩相熱法合成多種類形的高質量納米晶，包括II-VI族半導體和金屬氧化物等，并深入研究了成核和生長動力學的規律。同時利用方法簡便、可大量制備的金屬有機改進法和模板法制備II-VI族半導體納米晶，獲得了具有自主知識產權的納米材料制備技術。

兩相法在1994年首先用于金屬納米粒子制備，后來個別研究者認為，該方法不宜應用在半導體納米晶的制備。長春應化所在深入研究納米晶成核和生長動力學的基礎上，創新性地將兩相法（包括常壓和高壓）首先成功用于II-VI族半導體納米晶制備，之后拓展到金屬氧化物體系。創新點在于解決了成核和生長動力學過程的調控問題，使制備尺寸和形貌可控的高質量納米晶成為現實。絕大多數樣品為單分散樣品，這些高質量的納米晶為其性能研究奠定了基礎。

在該成果持續十年的研究中，共發表研究論文22篇，其中影響因子IF>3的11篇，IF>6的5篇，被他人正面引用總計230余次，授權中國發明專利12項，授權美國發明專利2項。自發展兩相法以來，帶動了國內外其他研究小組利用該方法制備尺寸和形貌可控無機納米晶，發表了一些這方面的研究論文，該方法豐富了納米制備科學和技術，對推動其發展做出了貢獻。