Spire Semiconductor贏得美國政府的資金，重新設計化合物半導體電池，努力削減成本并提高效率。MicroLinkDevices表示它利用MOCVD技術和一些獨特的工藝步驟――包括將外延片下的襯底剝離――將太陽能電池中的GaAs用量最小化。在9月29日美國DoE宣布該工廠獲得297萬美元的資助用于Solar AmericaInitiative下面的光電模塊孵化項目。該項目為期18個月，Spire在GaAs襯底上使用“雙面”電池，優化器件結構層的光學特性使它與太陽能光譜匹配，最終能將太陽能轉換效率提升到42%以上。

    這個項目打算建立電池生產線，使得年發電量高達50MW，DOE股及到2012年輸出量能達到250MW。

    另：Spectrolab日前向Veeco訂購多套MOCVD設備，生產砷化物和磷化物半導體系統。