6月4日，第十三屆SNEC大會召開光伏科學家大會。保利協鑫首席技術官萬躍鵬博士受邀作《Casting Mono Wafers for Higher Cost Performance》主旨報告。萬躍鵬指出，保利協鑫鑄錠單晶硅片（鑫單晶）通過8年的技術研發，已經成為市場上被接受的有競爭力的產品，市場占有率正在快速提升。 電站成本結構決定了不同類型組件的性價比，提升電池轉換效率是提升鑄錠技術在更多應用場景性價比的最重要的選擇，而鑄錠單晶的發展是必由之路。萬躍鵬博士認為，保利協鑫鑫單晶產品經過多年技術升級，已經具備以下四大優勢：一是更低氧含量、更低光衰，鑫單晶氧含量<6ppm，直拉單晶硅片為12-13ppm，鑫單晶適合N型高溫電池工藝；二是更窄電阻率分布，有利于PERC電池效率優化，適合做摻鎵P型、摻磷N型硅片；三是方片無倒角，適用于疊片、拼片等新組件，外觀更好；四是碳足跡更低，比直拉單晶每公斤電耗低20多度，轉換成每瓦少耗電0.06度。碳足跡在很多海外市場是重要的指標。綜上因素，“鑫單晶G3”PERC電池量產效率和組件輸出功率與直拉單晶基本相同，如考慮光衰方面優勢，和直拉單晶組件實現同瓦輸出，同時有1美分/瓦的利潤空間。

鑄錠單晶產品從2011年規?；瘧瞄_始，已經有約1-2GW的電站應用。萬躍鵬博士指出，對于發電穩定性來說，法國電力一直使用法國Photowatt的鑄錠單晶組件，也有幾百兆瓦應用，沒有任何關于鑄錠單晶產品在發電端的問題報道。協鑫位于陜西、寧夏、安徽三地的實證電站數據顯示，鑫單晶發電非常穩定，與相對應其它類型組件相當或略好。

對于未來鑄錠單晶技術的發展潛力，萬躍鵬博士認為，鑄錠硅片產品通過鑄錠形核技術的提升、摻雜技術的應用、電阻率的控制，氧含量降低等，可以不斷提升硅片性能；通過穩定生產工藝、推廣籽晶的低成本化技術，可以進一步降低成本。鑄錠單晶技術可以應用于N型硅片，滿足N-PERT、N-TOPCON、HJT等電池的需要。保利協鑫通過爐臺改造數量增加、單臺裝料量提升，不斷快速增加總產能，滿足客戶批量需求。2019年全年產能可達10GW。